新書推薦：
《
黑暗时代的哲学家（哲学版的《人类群星闪耀时》，面对历史的洪流，哲学何为？）
》
售價：HK$
85.8
《
国魂 ： 甲午（ 全三册）
》
售價：HK$
178.2
《
我想当数学家
》
售價：HK$
153.8
《
产业变局与四个“铁三角”（精准锚定产业演进方向，高效挖掘变局创新机遇）
》
售價：HK$
63.8
《
游戏直播简史：重塑游戏、电竞与情感经济（薄荷实验）
》
售價：HK$
101.2
《
引凤归（全2册）
》
售價：HK$
76.8
《
夜之屋（电话铃响起时，不要回答！北欧悬疑小说天王尤·奈斯博挑战全新恐怖题材）
》
售價：HK$
53.9
《
雅克·德里达访谈录（德里达亲口讲述，颠覆常规的智慧结晶！追忆福柯、拉康、阿尔都塞，谈论解构、性别、素食主义、政治正确……用哲学思考回应历史与当下）
》
售價：HK$
87.8
|
| 內容簡介： |
足立贞夫编著的《半导体物理性能手册第2卷下 Springer手册精选原版系列》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：
來源：香港大書城megBookStore,http://www.megbook.com.hk
Structural Properties结构特性 Thermal Properties热学性质 Elastic Properties弹性性质 Phonons
and Lattice Vibronic Properties 声子与晶格振动性质 Collective Effects and Related
Properties集体效应及相关性质 Energy-Band Structure：Energy-Band Gaps 能带结构：能带隙 Energy—Band
Structure：Electron and Hole Effective Masses能带结构：电子和空穴的有效质量 Electronic
Deformation Potential电子形变势 Electron Affinity and Schottky Barrier
Height电子亲和能与肖特基势垒高度 Optical Properties光学性质 Elastooptic，Electrooptic，
andNonlinearOptical Properties弹光、电光和非线性光学性质 Carrier Transport Properties载流子输运性质
《半导体物理性能手册第2卷下Springer手册精选原版系列》适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。
|
| 目錄：
|
Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
10 Wurtzite Gallium Nitride a-GaN
10.1 Structural Properties
10.1.1 Ionicity
10.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
10.1.3 Crystal Structure and Space Group
10.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
10.1.5 Structural Phase Transition
10.1.6 Cleavage Plane
10.2 Thermal Properties
10.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
10.2.2 Specific Heat
10.2.3 Debye Temperature
10.2.4 Thermal Expansion Coefficient
10.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
10.3 Elastic Properties
10.3.1 Elastic Constant
10.3.2 Third-Order Elastic Constant
10.3.3 Young''s Modulus, Poisson''s Ratio, and Similar
10.3.4 Microhardness
10.3.5 Sound Velocity
10.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
10.4.1 Phonon Dispersion Relation
10.4.2 Phonon Frequency
10.4.3 Mode Gruneisen Parameter
10.4.4 Phonon Deformation Potential
10.5 Collective Effects and Related Properties
10.5.1 Piezoelectric Constant
10.5.2 Frohlich Coupling Constant
10.6 Energy-Band Structure: Energy-Band Gaps
10.6.1 Basic Properties
10.6.2 E0-Gap Region
10.6.3 Higher-Lying Direct Gap
10.6.4 Lowest Indirect Gap
10.6.5 Conduction-Valley Energy Separation
10.6.6 Direct-Indirect-Gap Transition Pressure
10.7 Energy-Band Structure: Electron and Hole Effective Masses
10.7.1 Electron Effective Mass: F Valley
10.7.2 Electron Effective Mass: Satellite Valley
10.7.3 Hole Effective Mass
10.8 Electronic Deformation Potential
10.8.1 Intravalley Deformation Potential: F Point
10.8.2 Intravalley Deformation Potential: High-Symmetry Points
10.8.3 Intervalley Deformation Potential
10.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
10.9.1 Electron Affinity
10.9.2 Schottky Barrier Height
10.10 Optical Properties
10.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
10.10.2 The Reststrahlen Region
10.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
10.10.4 The Interband Transition Region
10.10.5 Free-CarrierAbsorption and Related Phenomena
10.11 Elastooptic, Electrooptic, and Nonlinear Optical Properties
10.11.1 Elastooptic Effect
10.11.2 Linear Electrooptic Constant
10.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
10.11.4 Franz-Keldysh Effect
10.11.5 Nonlinear Optical Constant
10.12 Carrier Transport Properties
10.12.1 Low-Field Mobility: Electrons
10.12.2 Low-Field Mobility: Holes
10.12.3 High-Field Transport: Electrons
10.12.4 High-Field Transport: Holes
10.12.5 Minority-Carrier Transport: Electrons inp-Type Materials
10.12.6 Minority-Carrier Transport: Holes in n-Type Materials
10.12.7 Impact Ionization Coefficient
11 Cubic Gallium Nitrideb-GaN
12 Gallium PhosphideGap
13 Gallium ArsenideGaAs
14 Gallium AntimonideGaSb
15 Indium NitrideInN
16 Indium PhosphideInP
17 Indium ArsendideInAs
18 Indium AntimonideInSb
|
|
購物車/收銀台(0) | 在線留言板
| 付款方式
| 運費計算
| 聯絡我們
| 幫助中心 |
加入書簽
HOME
新書上架
