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晶圆级应变SOI技术
『简体书』 作者：戴显英 出版：西安电子科技大学出版社 日期：2024-11-01 进入21世纪以来， 应变硅和SOISilicon-On-Insulator， 绝缘体上硅被公认为是深亚微米和纳米工艺制程维持摩尔定律Moore’s Law和后摩尔定律的两大关键技术， 也被称为21世纪的硅集成电路技术。 本书共分7章， 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结 ... |
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微纳集成电路工艺技术
『简体书』 作者：戴显英 出版：西安电子科技大学出版社 日期：2024-12-01 本书共10章。第1章介绍集成电路工艺的器件与工艺仿真基础，第2章至第7章介绍集成电路制造的薄膜制备、离子注入、光刻、刻蚀、金属化、化学机械平坦化等基本工艺，第8章介绍阱工艺、浅槽隔离工艺、栅极工艺、源漏工艺、自对准金属硅化物工艺、接触孔与通孔工艺和金属互连工艺等集成电路制造的工艺集成技术，第9章至第 ... |
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微纳集成电路制造工艺
『简体书』 作者：戴显英 赵杰 毛维 出版：高等教育出版社 日期：2024-12-01 本教材共五篇23章。第一篇介绍集成电路制造的器件基础，包括MOSFET器件、功率器件、逻辑芯片和存储芯片；第二篇介绍集成电路制造的工艺设计基础，包括工艺设计套件（PDK）、光刻掩模版技术、光学临近修正和集成电路工艺及器件仿真工具TCAD；第三篇介绍集成电路制造基本工艺，包括光刻、刻蚀、薄膜、掺杂、离 ... |
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硅基半导体应变理论与生长动力学
『简体书』 作者：戴显英 出版：西安电子科技大学出版社 日期：2024-12-01 硅基半导体应变技术是21世纪延续摩尔定律的关键技术之一。根据IRDS国际设备和系统路线图对DRAM技术发展趋势的预测， 在今后很长一段时间内， 硅基半导体应变技术仍然是提升半导体器件与电路迁移率和高场传输特性的可持续改进关键技术。 本书共分为9章， 主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半 ... |
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